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教你辨別損壞的SCR控制模組的原因

教你辨別損壞的SCR控制模組的原因

可控矽模組損壞時▩│↟☁,一定要能夠及時研究發現損壞原因▩│↟☁,然後可以立即做故障資訊處理▩│↟☁,下面教大家對於如何透過區分可控矽模組損壞的原因◕╃▩▩✘。可控矽模組通常被稱之為功率半導體模組(semiconductor module)◕╃▩▩✘。最早是在1970年由西門康公司率先將模組原理引入電力電子技術領域▩│↟☁,是採用模組封裝形式▩│↟☁,具有三個PN接面的四層結構的大功率半導體器件◕╃▩▩✘。整流橋模組將整流管封在一個殼內了◕╃▩▩✘。分全橋和半橋◕╃▩▩✘。全橋是將連線好的橋式整流電路的四個二極體封在一起◕╃▩▩✘。半橋是將四個二極體橋式整流的一半封在一起▩│↟☁,用兩個半橋可組成一個橋式整流電路▩│↟☁,一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路▩│↟☁, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓◕╃▩▩✘。工業級固態繼電器100%負載電流老化試驗▩│↟☁,透過歐共體CE認證▩│↟☁,國際ISO9000認證▩│↟☁,國內3C認證◕╃▩▩✘。

當閘流體模組損壞▩│↟☁,冷卻套可以從晶片去除▩│↟☁,晶片倉在開啟▩│↟☁,取出晶片◕╃▩▩✘。讓我們來看看一些常見的影象◕╃▩▩✘。

電流可以進行資料損壞◕╃▩▩✘。電流透過損壞的痕跡主要發展特徵是晶片被燒成一個凹坑▩│↟☁,且粗糙▩│↟☁,其方位在中國企業需要遠離我們自己操控極上◕╃▩▩✘。

電壓擊穿◕╃▩▩✘。 可控矽不能因接受工作電壓而損壞▩│↟☁,其晶片設計有這樣一個沒有光的小孔▩│↟☁,有時需要用膨脹鏡看到◕╃▩▩✘。 原因可能是當公司本身降低其電壓電阻或斷開時發生的高壓擊穿◕╃▩▩✘。

損壞電流增長率◕╃▩▩✘。 電流軌跡被電流軌跡損壞▩│↟☁,其鄰近的方向控制電極或控制電極◕╃▩▩✘。

邊際損害◕╃▩▩✘。他發生在晶片外倒角▩│↟☁,略有光澤孔◕╃▩▩✘。可以用放大鏡倒角面可以看出觸及金屬物體進行仔細研究◕╃▩▩✘。這是偶然形成的生產廠家的本控制裝置◕╃▩▩✘。它使工作電壓擊穿◕╃▩▩✘。

以上4個原因為可控矽模組設計常見損壞主要原因▩│↟☁,遇到可控矽模組以及損壞▩│↟☁,應冷靜處理分析◕╃▩▩✘。

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